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      微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
      • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置與流程
        本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。、在用于測量壓力的半導(dǎo)體器件中,在襯底中形成有空腔,在空腔上方形成有敏感膜層,并在敏感膜層兩側(cè)形成有電極,在受到壓力時,敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象,此時能夠通過電極來測量敏感膜層兩側(cè)電勢差,進(jìn)而計算得到壓力的大小。、然...
      • 一種集成化MEMS慣性傳感器的制作方法
        本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng),具體涉及一種集成化mems慣性傳感器。、mems慣性傳感器分為mems加速度計和mems陀螺儀慣性器件,mems加速度計傳感器用來測量空間加速度的傳感器,即測量物體在空間速度變化的快慢。mems陀螺儀利用角動量守恒定律,通過測量物體在單軸、雙軸或多軸上的旋轉(zhuǎn)速度變化來...
      • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置與流程
        本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。、在用于測量壓力的半導(dǎo)體器件中,在襯底中形成有空腔,在空腔上方形成有敏感膜層,并在敏感膜層兩側(cè)形成有電極,在受到壓力時,敏感膜層發(fā)生形變而產(chǎn)生極化現(xiàn)象,此時能夠通過電極來測量敏感膜層兩側(cè)電勢差,進(jìn)而計算得到壓力的大小。、然...
      • 壓力感測模塊及其制作方法與流程
        本發(fā)明是有關(guān)于一種感測模塊及其制作方法,且特別是有關(guān)于一種壓力感測模塊及其制作方法。、壓阻式(piezo-resistive)微機(jī)電系統(tǒng)(micromechanical?system,mems)壓力感測器用以將壓力轉(zhuǎn)換成對應(yīng)的電子信號。一般來說,壓阻式微電機(jī)系統(tǒng)壓力感測器包括易曲折的感測薄...
      • 一種晶圓級SOI硅片陽極鍵合方法與流程
        本發(fā)明涉及微系統(tǒng)(mems)及晶圓級封裝領(lǐng)域,具體是一種晶圓級soi硅片陽極鍵合方法。、目前在微系統(tǒng)(mems)及晶圓級封裝領(lǐng)域,基于soi硅片的陽極鍵合可應(yīng)用于與外部環(huán)境隔離的器件中,與bcb鍵合、硅硅鍵合相比,具有成本低、易加工等優(yōu)點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于壓力傳感器、慣性陀螺、加速度計中。一般...
      • 一種利用外界壓力調(diào)控限域空間的方法及在三維微納結(jié)構(gòu)構(gòu)筑中的應(yīng)用
        本發(fā)明涉及微納加工以及功能材料組裝與圖案化,涉及一種利用外界壓力調(diào)控限域空間的方法及在三維微納結(jié)構(gòu)構(gòu)筑中的應(yīng)用,具體涉及一種利用外界壓力調(diào)控組裝過程中的液體限域空間形貌以及控制得到的組裝圖案高度的方法。、在功能材料的圖案化加工制備過程中,加工圖案的三維形貌會顯著影響材料性能。例如,納米顆粒...
      • 用于制造圖形化結(jié)構(gòu)的模具、制造系統(tǒng)及方法與流程
        本發(fā)明涉及微納加工,特別涉及一種用于制造圖形化結(jié)構(gòu)的模具、制造系統(tǒng)及方法。、微納加工制造是半導(dǎo)體、顯示屏、微機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)光電器件、生物醫(yī)學(xué)、納米材料和超材料等多個行業(yè)有廣泛需求的共性技術(shù)。圖形化技術(shù)是微納加工制造的關(guān)鍵技術(shù)。比較成熟的圖形化技術(shù)大致有粒子束、光學(xué)光刻和模板法等類別。、粒子...
      • 用于HF穿透薄層硅刻蝕SiO2的種子層結(jié)構(gòu)及其制備方法
        本發(fā)明屬于mems,特別涉及一種sio刻蝕技術(shù),具體是一種用于hf穿透薄層硅刻蝕sio的種子層結(jié)構(gòu)及其制備方法。、當(dāng)前,在mems常用的sio刻蝕技術(shù)有濕法刻蝕、干法刻蝕、激光刻蝕等。濕法刻蝕主要利用含hf的液體對sio成份進(jìn)行腐蝕反應(yīng);干法刻蝕主要有反應(yīng)離子(rie)法,離子束刻...
      • 一種光化學(xué)微通道設(shè)備的制備方法和光化學(xué)微通道設(shè)備及應(yīng)用與流程
        本發(fā)明涉及化工設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種光化學(xué)微通道設(shè)備的制備方法和光化學(xué)微通道設(shè)備及應(yīng)用。、微化工技術(shù)是近二十年來發(fā)展起來備受研究者和產(chǎn)業(yè)界關(guān)注的新技術(shù),微通道技術(shù)在精細(xì)化工等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。在光化學(xué)和光催化的連續(xù)流反應(yīng)中,微通道技術(shù)也表現(xiàn)出明顯高于傳統(tǒng)攪拌釜工藝更高光化學(xué)效率的優(yōu)勢。光化...
      • 一種限域驅(qū)動圖案化手性組裝體及其制備方法和應(yīng)用
        本發(fā)明屬于手性光電器件及其制備,具體地,涉及一種限域驅(qū)動圖案化手性組裝體及其制備方法和應(yīng)用。、手性特征打破了功能材料的結(jié)構(gòu)對稱性,在自旋光電子器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,例如自旋發(fā)光器件、自旋光電邏輯器件和存儲器件等。在手性結(jié)構(gòu)的制備中,傳統(tǒng)無機(jī)材料體系通過光刻或電子束刻蝕獲得手性特征,工...
      • 基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法
        本發(fā)明涉及電氣元件組件的制造,尤其涉及基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法。、皮層腦電圖(ecog)是一種用于監(jiān)測和記錄大腦電活動的重要技術(shù)手段。然而,傳統(tǒng)的腦電圖技術(shù)依賴于多個電極點(diǎn)的放置,每個電極點(diǎn)均需引出一根獨(dú)立的引線連接到信號處理設(shè)備。這種傳統(tǒng)的全連接方式不僅增加了系統(tǒng)的復(fù)...
      • 用于形成圍繞至少一個槽口的多層結(jié)構(gòu)的方法和具有多層結(jié)構(gòu)的裝置與流程
        本發(fā)明涉及一種用于形成圍繞至少一個槽口的多層結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明也涉及一種具有多層結(jié)構(gòu)的裝置。、在us,,b中描述了一種用于在單晶硅晶片中形成被硅膜覆蓋的空穴的工藝。在實(shí)施該傳統(tǒng)工藝時,首先在硅晶片中蝕刻大量溝槽,使得從硅晶片結(jié)構(gòu)化出大量柱狀結(jié)構(gòu)。隨后通過硅層的外延沉積將溝槽封閉。之后在氫氣...
      • 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法與流程
        本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。、在半導(dǎo)體器件中,通常需要形成貫穿襯底和襯底上的功能層的通孔,以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能,例如,半導(dǎo)體過濾篩、硅通孔(through?silicon?via,tsv)結(jié)構(gòu)等。半導(dǎo)體過濾篩為微機(jī)電系統(tǒng)中的一種部件。半導(dǎo)體過濾篩中需要形成貫穿襯底以...
      • 開關(guān)器件及其制備方法、電子設(shè)備與流程
        本申請涉及開關(guān)器件,尤其涉及一種開關(guān)器件以及制備方法、電子設(shè)備。、射頻移相器、可調(diào)濾波器、可切換射頻衰減器、可重構(gòu)天線等電子元器件中通常包括開關(guān)器件。微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,簡稱mems)是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的新型傳感...
      • 一種晶圓級轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)及其轉(zhuǎn)移方法
        本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造,特別是涉及一種晶圓級轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)及其轉(zhuǎn)移方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system,mems)通過機(jī)電敏感結(jié)構(gòu)與執(zhí)行結(jié)構(gòu)、處理電路等的系統(tǒng)級集成,實(shí)現(xiàn)集信息傳感、處理、存儲、傳輸甚至執(zhí)行等功能的系統(tǒng)級芯片,是一種超越摩爾的技...
      • 一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
        本申請涉及微機(jī)電,具體涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanical?system),也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等,指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號處理和控制電路、高性...
      • 一種曲面基底微納米結(jié)構(gòu)的高精度制備方法
        本發(fā)明屬于微納光學(xué),具體涉及一種曲面基底微納米結(jié)構(gòu)的高精度制備方法。、曲面基底微納米結(jié)構(gòu)器件,如:用于高光譜成像的凸面閃耀光柵、用于新型光學(xué)成像系統(tǒng)的仿生復(fù)眼結(jié)構(gòu)(曲面基底微透鏡陣列)、用于電磁屏蔽的曲面網(wǎng)格狀線柵等,相比傳統(tǒng)的平面基底微納米結(jié)構(gòu)器件,具有更多的設(shè)計自由度和更優(yōu)秀的光電性能...
      • 一種采用HF氣體穿透種子層來制備電容式傳感器的方法
        本發(fā)明屬于mems傳感器,特別涉及電容式傳感器的制作,具體是一種采用hf氣體穿透種子層來制備電容式傳感器的方法。、mems(微機(jī)電系統(tǒng))繼承了集成電路的先進(jìn)制造工藝,相較于傳統(tǒng)傳感器,具有微型化、低成本、高效能和可大批量生產(chǎn)等優(yōu)勢,并且產(chǎn)能和良品率都很高。、基于mems技術(shù)的電容式傳感器的...
      • 一種六自由度大行程柔性微納米末端定位平臺
        本發(fā)明涉及微納米定位,具體涉及一種六自由度大行程柔性微納米末端定位平臺。、隨著納米技術(shù)、生物技術(shù)、信息技術(shù)和先進(jìn)制造技術(shù)的飛速發(fā)展,六自由度微納米末端定位平臺在精密工程領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用,廣泛應(yīng)用芯片制造于光學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、納米光刻、超精密加工、掃描探針檢測和微納操作等諸多領(lǐng)域。如在...
      • 具有兩個獨(dú)立空腔的MEMS裝置及其制造方法與流程
        本發(fā)明涉及mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))器件領(lǐng)域,尤其涉及一種具有兩個獨(dú)立空腔的mems裝置及其制造方法。、、mems電容式加速度計以其尺寸小,低成本,性能優(yōu)良,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子,物聯(lián)網(wǎng),以及工業(yè)測量領(lǐng)域。消費(fèi)電子競...
      技術(shù)分類